自1987年馳夏的前身東芝存儲(chǔ)發(fā)明NAND閃存以來(lái)，NAND閃存經(jīng)歷了從二維到三維的技術(shù)演變?nèi)亲鳛?D NAND閃存的創(chuàng)始人，在技術(shù)和生產(chǎn)力上依然占據(jù)第一

但目前以美光，西部數(shù)據(jù)，俠義為代表的廠商都在200+—層3D NAND閃存領(lǐng)域發(fā)力，各廠商的競(jìng)爭(zhēng)已經(jīng)進(jìn)入產(chǎn)能和層數(shù)的多重較量這會(huì)動(dòng)搖三星的領(lǐng)先地位嗎

層數(shù)不是唯一的標(biāo)準(zhǔn)。

3DNAND閃存領(lǐng)域的快速技術(shù)進(jìn)步使得市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)異常激烈而閃存企業(yè)的產(chǎn)品利潤(rùn)率與其創(chuàng)新能力密切相關(guān)，因此各大廠商在新產(chǎn)品研發(fā)上的競(jìng)爭(zhēng)愈演愈烈2013年8月，三星推出全球首款3DNAND閃存當(dāng)時(shí)的層數(shù)只有24層經(jīng)過(guò)9年的技術(shù)突破，目前可量產(chǎn)的3D NAND層數(shù)最高已達(dá)176層，但真正能做到的只有三星和美光

今年2月初，三星宣布將在2022年底或2023年上半年推出200層以上的3D NAND芯片，2023年上半年開(kāi)始量產(chǎn)預(yù)計(jì)三星首款超過(guò)200層的3D NAND芯片的層數(shù)將達(dá)到224層

就在大家都以為三星會(huì)繼續(xù)引領(lǐng)技術(shù)潮流，將3DNAND閃存帶入200+層新時(shí)代的時(shí)候，美光率先在投資日公開(kāi)表示，將于2022年底開(kāi)始量產(chǎn)全球首款232層3D NAND芯片搭載該芯片的SSD將于2023年發(fā)布美光此舉可以說(shuō)是后發(fā)制人，而且這已經(jīng)不是美光第一次這么做了早在2022年1月，美光就在三星之前率先發(fā)布了業(yè)界首款176層3D NAND芯片半導(dǎo)體行業(yè)專家遲先年對(duì)《中國(guó)電子報(bào)》記者指出:美光的技術(shù)突破，一方面可以降低其生產(chǎn)成本，使美光擁有最先進(jìn)閃存芯片的定價(jià)權(quán)，從而為其增加更多利潤(rùn)，另一方面，美光進(jìn)一步提高了技術(shù)門檻，拉大了與其他廠商的差距，進(jìn)一步增加了在存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)力和3D NAND閃存的市場(chǎng)份額

除了美光之外，日本存儲(chǔ)龍頭企業(yè)俠義與西部數(shù)據(jù)聯(lián)合表示，將在2022年底前量產(chǎn)162層3D NAND，并在2024年前推出200層以上的3D NAND芯片，與此同時(shí)，中國(guó)存儲(chǔ)芯片的頭部企業(yè)長(zhǎng)江存儲(chǔ)也有消息稱，長(zhǎng)江存儲(chǔ)已經(jīng)開(kāi)始向部分客戶交付其自主研發(fā)的192層3D NAND閃存樣品，預(yù)計(jì)相應(yīng)產(chǎn)品將于2022年底前正式上市本報(bào)記者聯(lián)系長(zhǎng)江存儲(chǔ)相關(guān)人員，對(duì)方表示對(duì)此消息不予置評(píng)

可以看到，各大企業(yè)都在積極研發(fā)200+層NAND閃存，美光，俠義，西部數(shù)據(jù)，長(zhǎng)久已經(jīng)具備了與三星角力的實(shí)力，三星在技術(shù)上的絕對(duì)優(yōu)勢(shì)開(kāi)始動(dòng)搖半導(dǎo)體專家楊君剛告訴《中國(guó)電子報(bào)》記者，從目前R&D的進(jìn)展來(lái)看，三星和美光在多層堆疊存儲(chǔ)器方面已經(jīng)有了領(lǐng)先的技術(shù)基礎(chǔ)三星可能會(huì)爭(zhēng)取更早在市場(chǎng)上推出200+層閃存產(chǎn)品，以追求技術(shù)領(lǐng)先，提前搶占市場(chǎng)份額

閃存層數(shù)越多，單位空間的存儲(chǔ)密度越高，越容易提高總存儲(chǔ)容量但值得注意的是，層數(shù)并不是決定閃存性能的唯一指標(biāo)道投資咨詢總經(jīng)理卜日新在接受《中國(guó)電子報(bào)》采訪時(shí)表示，3DNAND閃存堆疊技術(shù)在原理上基本相似，即通過(guò)堆疊，在更小的空間和面積上實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)容量但是每個(gè)廠商都有自己的技術(shù)架構(gòu)和演進(jìn)路線圖，并不完全一致每個(gè)廠家都有自己的技術(shù)工藝特點(diǎn)在底層，3D堆棧確實(shí)可以顯著提升閃存的性能，但伴隨著層數(shù)的增加，性能提升也會(huì)遇到瓶頸，需要在技術(shù)，成本和性能之間找到平衡點(diǎn)

池先念明確指出，層數(shù)領(lǐng)先并不代表美光在閃存技術(shù)上已經(jīng)超越三星因?yàn)樵u(píng)估閃存產(chǎn)品需要比較接口速度，可靠性，隨機(jī)讀取性能，低能耗，增加單位位數(shù)等指標(biāo)除了堆疊的層數(shù)之外此外，還需要評(píng)估在生產(chǎn)過(guò)程中能否做到低成本，低損耗在后向堆疊層數(shù)的情況下，三星可以通過(guò)提高產(chǎn)品的實(shí)際性能來(lái)提高競(jìng)爭(zhēng)力

市場(chǎng)結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定性存在變數(shù)

據(jù)統(tǒng)計(jì)，最近幾年來(lái)，三星和俠義一直占據(jù)NAND市場(chǎng)份額的第一和第二位，而西部數(shù)據(jù)，美光，海力士和被收購(gòu)前的英特爾NAND業(yè)務(wù)占據(jù)3—6位且排名經(jīng)常輪換可見(jiàn)產(chǎn)能也是NAND閃存企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)的焦點(diǎn)目前，各大企業(yè)都在積極擴(kuò)大生產(chǎn)，希望提高產(chǎn)能和市場(chǎng)份額

2020年9月，韓國(guó)芯片制造商SK海力士宣布斥資90億美元收購(gòu)英特爾的NAND閃存業(yè)務(wù)，并于2021年底完成交易在這些交易中，包括位于中國(guó)大連的閃存芯片工廠

最近幾天，SK海力士決定繼續(xù)擴(kuò)大投資，在大連新建晶圓廠，使大連工廠成為具有國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力的NAND閃存生產(chǎn)基地，目前已正式開(kāi)工根據(jù)消息顯示，SK海力士和英特爾的NAND閃存業(yè)務(wù)的市場(chǎng)份額總和將達(dá)到全球第二，但與三星的市場(chǎng)份額相比仍有較大差距短期內(nèi)，三星在NAND行業(yè)的地位仍難以超越

合作20年的親密伙伴俠義與西部數(shù)據(jù)最近幾天也宣布，將共同投資日本西田的Fab7制造工廠一期工程，為該工廠建設(shè)第六座閃存生產(chǎn)設(shè)施，預(yù)計(jì)今年秋季投產(chǎn)雙方表示將基于3D NAND的聯(lián)合研發(fā)和聯(lián)合投資，繼續(xù)發(fā)揮協(xié)同效應(yīng)，提升各自競(jìng)爭(zhēng)力，擴(kuò)大在存儲(chǔ)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位

據(jù)報(bào)道，西部數(shù)據(jù)首席執(zhí)行官大衛(wèi)·戈克勒在接受采訪時(shí)表示，赤霞是西部數(shù)據(jù)的重要合作伙伴兩家公司合在一起是全球最大的NAND供應(yīng)商，市場(chǎng)份額略高于三星

布信認(rèn)為，僅僅依靠各家公司略有不同的技術(shù)路線，并不能形成非常強(qiáng)的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，閃存相對(duì)穩(wěn)定的市場(chǎng)格局也很難在短時(shí)間內(nèi)被打破在市場(chǎng)格局層面，俠義與西部數(shù)據(jù)的純商業(yè)合作難以撼動(dòng)三星的市場(chǎng)地位即使在西部數(shù)據(jù)有意收購(gòu)俠義之前，資本層面的全面合并也很難產(chǎn)生1+1gt，2的結(jié)果三星在NAND領(lǐng)域的產(chǎn)業(yè)鏈比較完善，技術(shù)也比較成熟，和其他企業(yè)在NAND方面合作的可能性不大

最近幾天有消息稱，長(zhǎng)江入庫(kù)規(guī)模已超過(guò)10萬(wàn)件/月張指出，企業(yè)已經(jīng)進(jìn)入良性發(fā)展階段伴隨著良品率的進(jìn)一步提高和成本的進(jìn)一步降低，長(zhǎng)江存儲(chǔ)將逐步進(jìn)入全球閃存市場(chǎng)，與頭部企業(yè)展開(kāi)競(jìng)爭(zhēng)

布信也看好長(zhǎng)江存儲(chǔ)，但他同時(shí)指出，閃存是標(biāo)準(zhǔn)化產(chǎn)品，具有規(guī)模效應(yīng)，在全球范圍內(nèi)已經(jīng)形成穩(wěn)定的市場(chǎng)格局國(guó)內(nèi)廠商要實(shí)現(xiàn)突破，不能單純依靠?jī)r(jià)格，服務(wù)優(yōu)勢(shì)等市場(chǎng)化手段，還應(yīng)該尋求國(guó)外廠商不具備的優(yōu)勢(shì)，比如更貼近用戶，開(kāi)拓藍(lán)海市場(chǎng)，構(gòu)建產(chǎn)品和技術(shù)成熟度，形成生態(tài)等

雖然各大企業(yè)都在努力突破，增強(qiáng)能力，想提高市場(chǎng)份額，但是短時(shí)間內(nèi)，帶來(lái)的影響還是有限的三星在技術(shù)和產(chǎn)能上仍然是不可逾越的墻，全球NAND閃存市場(chǎng)格局將繼續(xù)維持現(xiàn)狀

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