最近幾天，在首席科學家楊德仁院士的帶領下，浙江大學杭州國際科技創(chuàng)新中心先進半導體研究院發(fā)明了一種全新的熔體法，研制出氧化鎵塊狀單晶和晶片目前已經(jīng)成功制備出直徑2英寸的氧化鎵晶片

來自浙江大學杭州科技創(chuàng)新中心的消息稱，新技術路線生長的氧化鎵晶片有兩個明顯的優(yōu)勢第一，用這種方法生長的氧化鎵晶片的晶面是特定的，使得制造的功率器件具有更好的性能，其次，由于采用了新的熔融法路線，減少了貴金屬銥的使用，使得氧化鎵的生長過程不僅更加簡單可控，而且成本更低，具有更大的產(chǎn)業(yè)化前景

此外，該團隊計劃在2年內(nèi)制造出直徑為4英寸的大尺寸氧化鎵晶片，這將進一步幫助國內(nèi)氧化鎵產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

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