，趙一創(chuàng)新最近幾天宣布推出GD25WDxxK6 SPI NOR Flash產(chǎn)品系列，采用1.2mmtimes1.2mm USON6超小型塑封，在如此緊湊輕巧的空間內最大厚度僅為0.4mm，其功耗和電壓范圍進一步提升，為消費電子，可穿戴設備，物聯(lián)網(wǎng)，便攜式健康監(jiān)測設備等應用提供了理想的選擇對電池壽命和緊湊設計有嚴格要求

如今，伴隨著5G，物聯(lián)網(wǎng)，AI等技術的不斷迭代，在筆記本相機，智能遙控器，智能健康手環(huán)等電池供電的應用場景中，趙一創(chuàng)新了和小靜追求從未停止，這就對其中使用的存儲產(chǎn)品提出了更高的要求

一方面，需要提供足夠的代碼存儲空間，以滿足設備的正常運行要求，另一方面，也需要在尺寸和功耗上精益求精，以適應電子設備小型化的趨勢。

針對這一市場需求，趙一創(chuàng)新推出的GD25WDXK6SPI NOR Flash產(chǎn)品系列采用僅1.2mmtimes1.2mm超小型USON6封裝，相比上一代1.5mmtimes1.5mm USON8封裝產(chǎn)品將電路板面積減少了高達36%，為空間有限的產(chǎn)品提供了更大的設計自由度。

在低功耗設計方面，趙一創(chuàng)新將GD25WDxxK6系列的功耗控制在非常低的水平待機狀態(tài)下，電流只有0.1mua，可以顯著延長電子設備的電池壽命

此外，為了滿足便攜式電子產(chǎn)品的存儲需求，GD25WDxxK6提供了單通道和雙通道SPI模式，具有1.65V~3.6V的寬電壓工作范圍，支持512Kb~4Mb不同容量的選擇最高時鐘頻率可達104MHz，具有10萬次擦寫壽命，有效數(shù)據(jù)存儲期可達20年全量程支持—40℃ ~ 85℃

目前，趙一創(chuàng)新GD25WDxxK6系列512Kb~1Mb容量產(chǎn)品已全面量產(chǎn)，2Mb~4Mb容量產(chǎn)品可提供樣片，預計8月中旬量產(chǎn)。

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