為解決 SiC MOSFET 柵氧層界面質量差導致溝道遷移率低，使得溝道開態電阻過高，能源轉換效率嚴重受限的技術瓶頸問題西安交通大學微電子學院耿莉教授，劉衛華教授團隊與西安電子科技大學郝躍院士共同合作，提出一種使用低溫超臨界二氧化碳 或超臨界一氧化二氮 流體的低溫退火工藝，以提高 4H—SiC MOSFET 中 4H—SiC / SiO2 界面的質量

該研究成果不僅實現高質量的 SiO2 / SiC 界面，高的溝道遷移率和介電可靠性，同時，提出的高效低溫退火工藝與標準 SiC MOSFET 制造工藝兼容，為制備高性能 SiC MOSFET 器件提供了新的有效方法，方便用于商用器件的制備。

聞泰科技12月9日在投資者互動平臺表示，安世是全球分立器件IDM龍頭廠商之一，在中國功率分立器件公司中排名第MOSFET是公司重要產品類型之一，其中，車規Mos全球市場排名第2，僅次于英飛凌，小信號Mos全球排名第2，僅次安森美。可以看出，公司Mos產品性能突出，市場占有率高，也因產品的高品質，超低不良率成為業界標桿，成為全球各領域眾多頂尖客戶的首選供應商。從業績來看，半導體業務上半年收入為673億元，同比增長525%，業務毛利率為306%，實現凈利潤110億元，同比增長2352%，其中Mos也實現了快速增長。從行業層面來看，公司的Mos產品在汽車上應用非常廣泛，比如應用在車身控制，電池管理，引擎管理，LED照明等多個方面，汽車電動化與智能化趨勢都將給安世產品帶來更大的市場空間。無論是傳統車還是新能源車，隨著汽車上電子部件的增多，公司的Mos產品的單車用量也將持續提升，尤其是在新能源車上實現數倍增長。從業務優勢來看，高生產效率，產品超低不良率，穩定的頂尖客戶資源，符合車規認證標準等既是現有產品的核心競爭力，也是安世發展新業務，拓展新產品的重要基石，這些核心優勢將在公司新產品的生產與銷售等環節中進一步延續。同時，公司還成立了安世中國研發中心，加大研發投入，并通過收購具有車規級IGBT工藝能力的Newport晶圓廠進行產能快速擴充，在現有核心優勢的基礎上，又從研發，產能，工藝等方面進一步構建了公司發展IGBT業務的競爭壁壘。請投資者持續關注公司業務發展動態，相信公司在新產品新業務上的布局與投入未來將會給上市公司帶來可觀回報。

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