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英飛凌推出新一代適用于電動汽車的強大節能型IGBT和RC-IGBT器件

來源:蓋世汽車 作者:白鴿 發布時間:2025-04-18 14:03   閱讀量:5151   

蓋世汽車訊 電動汽車市場持續加速發展,純電動汽車和插電式混合動力汽車(PHEV)的銷量均呈現強勁增長。預計到2030年,電動汽車產量占比將實現兩位數增長,達到45%左右,而2024年這一比例僅為20%。據外媒報道,英飛凌科技股份公司(Infineon Technologies AG)推出新一代產品,以滿足市場對高壓汽車IGBT芯片日益增長的需求。這些產品包括專為400 V和800 V系統設計的EDT3(Electric Drive Train, 3 rd generation,第三代電力傳動系統)芯片,以及專為800 V系統量身定制的RC-IGBT芯片。這些器件可提升電力傳動系統的性能,使其特別適用于汽車應用。

EDT3和RC-IGBT裸片經過設計,可提供高質量和可靠的性能,使客戶能夠創建定制功率模塊。新一代EDT3相較于EDT2取得了顯著進步,在高負載下總損耗降低高達20%,同時保持低負載下的效率。這一成就得益于優化設計,最大限度地降低了芯片損耗并提高了最高結溫,從而平衡了高負載性能和低負載效率。因此,采用EDT3芯片的電動汽車能夠延長續航里程并降低能耗,從而提供更具可持續性且經濟高效的駕駛體驗。

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